test2_【虎窑】7纳国林公体设下的的臭薄膜备 ,半导备需氧专用设领域前在求科技可以沉积程以满足米制司目

时间:2025-01-23 20:53:46 来源:伊春物理脉冲升级水压脉冲
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国林科技董秘:尊敬的投资者,如数据存在问题请联系我们。

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公司目前在薄膜沉积领域的臭氧专用设备,是否可以满足7纳米制程以下的半导体设备需求?

国林科技董秘:尊敬的投资者,您好。

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